Версия для печати
Технические характеристики IR2118PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	High-Side
Тип входа	Inverting
Время задержки	125ns
Ток пиковое значение	250mA
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Напряжение питания	10 V ~ 20 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)		48 000	1.44  >100 шт.   0.72
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIR
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	6 504	2.48
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIOTEC	452	1.37
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DI
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP	36 964
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	ONS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIODES
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	HOTTECH	25 804	1.36  >100 шт.   0.68
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KLS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	SUNTAN	15 644	2.00  >100 шт.   1.00
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YJ	641 904	1.25
		FAN7382N			FAIR
		FAN7382N			FSC
		FAN7382N				4	320.00
		FAN7382N			FAIRCHILD
		FAN7382N			FAIRCHILD
		FAN7382N			Fairchild Semiconductor
		FAN7382N			МАЛАЙЗИЯ
		FAN7382N			ONS
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс	INFINEON
		IR4427PBF		Драйвер нижнего ключа x2. Uвых=6-20В, Iвых=1.5А/1.5А, t(on/off)= 85/65мкс
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIR
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	DIOTEC	103 821	2.30
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FAIRCHILD	2 683
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	MCC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	Fairchild Semiconductor
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223		12 800	1.72  >100 шт.   0.86
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	КИТАЙ
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	ONS
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YJ	83 445	1.27
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	FSC
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	GALAXY ME
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	HOTTECH	18 735	1.08
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	KLS	16	2.58
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	SUNTAN
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YANGJIE (YJ)
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	YOUTAI	1 494	1.13
		MMBT5551		Транзистор S-N 160В 0.6A 0.3 SOT223	JSCJ	110 732	1.29
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	ST MICROELECTRONICS
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	STMicroelectronics
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания	КИТАЙ
		STGW40N120KD		Igbt-транзистор на 1200 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"