IRF1010EPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF1010EPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	84A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 50A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3210pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FEP16DTA		FSC
FEP16DTA		FAIR
FEP16DTA		FAIRCHILD
FEP16DTA		FAIRCHILD
FEP16DTA		Fairchild Semiconductor
FEP16DTA		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
FEP16DTA
FEP16DTA		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
FEP16DTA		ONS
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
IRFB31N20DPBF	Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON	1	550.01
JRC4558D-8
MPSA56G		ON Semiconductor
MPSA56G		ONS
MPSA56G
MPSA56G		ON SEMICONDUCTOR	2 456
MPSA56G		ON SEMICONDUCTO
MPSA56G
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTOR
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)		213	61.60
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ONS
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTOR
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTO
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ONSEMICONDUCTOR