IRF2907ZS-7PPBF
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 110A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 160A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7580pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB |
| Корпус | D2PAK (7-Lead) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF2907ZS-7PPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
