Версия для печати
Технические характеристики IRF5850TRPBF
Power - Max | 960mW |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают: