Версия для печати
Технические характеристики IRF7201PBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 7.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4069			UTC
		CD4069
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		1 200	27.42
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INFINEON	8 528	85.61
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INF (INFINEON)
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	JSMICRO	11 200	72.82
		IRF3710PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3710PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3710PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A	INFINEON	688	64.94
		IRF3710PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A		620	44.42
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.00
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	656	216.48
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"