Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-NP0-12PF 5% 50V | Керамический конденсатор 12пФ, 50 В | MURATA | ||||||
0805-NP0-12PF 5% 50V | Керамический конденсатор 12пФ, 50 В | 1 384 | 1.40 | |||||
0805-NP0-18PF 5% 50V | Керамический конденсатор 18пФ, 50 В,5% | MURATA | ||||||
0805-NP0-18PF 5% 50V | Керамический конденсатор 18пФ, 50 В,5% | 142 | 1.20 | |||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | NXP | ||||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | PHILIPS | ||||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | |||||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | NXP | 7 915 | |||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | PHILIPS | 31 262 | |||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | MULTICOMP | 809 | 7.29 | ||||
BC807 | Транзистор PNP 45В, 500mA, 80MHz | JSCJ | 432 708 |
1.80 >100 шт. 0.90 |
||||
BFG540/X,215 | NXP Semiconductors | |||||||
BFG540/X,215 | NXP | |||||||
BFG540/X,215 | ||||||||
PIC16F883-I/SO | ИМС МК SO28 | MICRO CHIP | ||||||
PIC16F883-I/SO | ИМС МК SO28 | 808 | 188.69 | |||||
PIC16F883-I/SO | ИМС МК SO28 | Microchip Technology | ||||||
PIC16F883-I/SO | ИМС МК SO28 | MICRO CHIP | 3 |
|