|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP4511GED | APEC | |||||||
AP4511GED | 244.96 | |||||||
AP4511GED | 244.96 | |||||||
IRF7306PBF | Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRF7306PBF | Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | |||||||
IRF7306PBF | Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | INFINEON | ||||||
IRF7306PBF | Транзистор 2xP-канальный 30V 3,6A 2,0W 0,10R | VISHAY | ||||||
LQH55DN100M03L | Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | CHINA | ||||||
LQH55DN100M03L | Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MURATA | ||||||
LQH55DN100M03L | Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MUR | ||||||
LQH55DN100M03L | Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | 168.92 | ||||||
LQH55DN100M03L | Дроссель SMD 2220 (L=10 mH +/-20%) | MURATA | ||||||
RK-1412G-A10K, 2 Х 10 КОМ | КИТАЙ | |||||||
VLS6045EX-100M, 10 МКГН, 20% | TDK |
|