Версия для печати
Технические характеристики IRF7317TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.6A, 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	900pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C			360.00
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	КИТАЙ
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	США
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	AD1
		AD8031ARZ		Операционный усилитель, 80МГц, Iпот.=800мкА, -40°C - +85°C	ANALOG
		IRLD024		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLD024		Транзистор полевой	VISHAY
		IRLD024		Транзистор полевой			56.32
		IRLD024		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		IRLD024		Транзистор полевой	ФИЛИППИНЫ
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS	568	31.49
		LD1117S50CTR					70.00
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRONICS SEMI	81
		LD1117S50CTR			STMicroelectronics
		LD1117S50CTR			ST MICROELECTRO
		LD1117S50CTR			TEXAS INSTRUMENTS	8	15.15
		LPC1758FBD80			NXP
		LPC1758FBD80					1 620.00
		LPC1758FBD80			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LPC1758FBD80			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		LPC1758FBD80			NXP	60
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		5 355	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	9 340	42.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	3 040	79.70
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"