|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.7A, 3.4A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | N and P-Channel |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0.125ВТ 0805 2.4 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ | |||||||
HYR-1141 (GSA-1141) | NEW CENTRESS | |||||||
HYR-1141 (GSA-1141) | ||||||||
PLSS-40 (DS1004 1X40) | ZHENQIN | |||||||
PLSS-40 (DS1004 1X40) | CONNFLY | |||||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | 12 188 | 29.75 | |||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | МИНСК | 10 531 | 34.00 | ||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | ЗПП МИНСК | ||||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | ИНТЕГРАЛ | 696 | 85.61 | ||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | ИНТЕГРАЛ-С | ||||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | RUS | ||||||
КП505А | N-mon, 50В, 1Вт | БРЯНСК | ||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 32.00 | ||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 2 209 | 32.00 | ||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|