|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
|
3
|
207.60
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
MICRO CHIP
|
646
|
94.46
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
|
45
|
8.40
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
20 792
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
LGE
|
11 200
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
786
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
WUXI XUYANG
|
4 740
|
2.38
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
|
4
|
144.00
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFBE30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
TPS54331DR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
552
|
58.06
|
|
|
|
TPS54331DR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS54331DR |
|
|
|
1 600
|
18.58
|
|
|
|
TPS54331DR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|