IRF9362PBF
N-MOS 500V, 4.5A, 74W
|
Версия для печати
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
