IRF9Z24PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF9Z24PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	570pF @ 25V
Power - Max	60W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9Z24PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF9Z24PBF datasheet
1.2 Мб