Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 25A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 43A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V |
Power - Max | 71W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB3806PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RX27-1 0.75 ОМ 5W 5% / SQP5 | 2 350 | 5.02 | ||||||
RX27-1 3 ОМ 5W 5% / SQP5 | 344 | 6.35 | ||||||
RX27-1 3 ОМ 5W 5% / SQP5 | XIN HUA | |||||||
SQP 5W 1.8 5% | ||||||||
SQP 5W 1.8 5% | YAGEO | |||||||
SQP 5W 1.8 5% | КИТАЙ | |||||||
МЛТ - 1 ВТ 27 ОМ 5% | 247 | 3.20 | ||||||
МЛТ-1-12 ОМ-5% | 32 171 | 7.04 |
|