IRFB4020PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4020PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 50V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4020PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4020PBF datasheet
641.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRS2092S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS2092S				988.00
IRS2092S		INFINEON
IXGH60N60C2	600V 75A 300W	IXYS
IXGH60N60C2	600V 75A 300W
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTOR
MUR120RLG				19.24
MUR120RLG		ONS	19	12.08
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTOR	32
MUR120RLG		ON SEMIC
MUR120RLG		ON SEMICONDUCTO
MUR120RLG		ONSEMICONDUCTOR
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	YAGEO
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK063M2200B7F-1836	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 63 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В			8.48
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	SUNTAN
К73-17-100-0.1 10%	Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В	КИТАЙ