IRFB4115PBF
Транзистор МОП N-канальный 150V 104A 380W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 62A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 104A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| Power - Max | 380W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB4115PbF (MOSFET) 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EEHZA1K220P | PIE |
|
|
|||||
| EEHZA1K220P | PANASONIC |
|
|
|||||
| EEHZA1K220P | PAN | 6 806 | 45.53 | |||||
| EEHZA1K220P | PAN IND |
|
|
|||||
| EEHZA1K220P |
|
|
||||||
 |
 |
INA214AIDCKR |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
INA214AIDCKR |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
INA214AIDCKR |
|
|
|
|||
 |
|
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А |
|
580.00 | ||
|
|
|
IRFB4227 |
|
Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А | INFINEON |
|
|
|
| IRFB7534 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFB7534 | INFINEON |
|
|
|||||
| IRFB7534 |
|
|
||||||
 |
|
IRG4BC30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
199.24 | ||
|
|
|
IRG4BC30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
