IRFB4332PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRFB4332PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	1	3-4 недели Цена по запросу
IRFB4332PBF	528	196.22
IRFB4332PBF (INFINEON.)	368	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4332PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 35A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5860pF @ 25V
Power - Max	390W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4332PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4332PBF datasheet
313.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4744A (15V)	Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
1N4744A (15V)	Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	GALAXY
1N4744A (15V)	Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	КИТАЙ
1N4744A (15V)	Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
1N4744A (15V)	Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
2SC4467	Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)	SANKEN
2SC4467	Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)	SK
2SC4467	Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)		1	295.20
2SC4467	Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)	КИТАЙ
2SC4467	Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)	ISCSEMI
BA3121F-E2		Rohm Semiconductor
IPP90N06S4L-04	N-channel 60v mosfet optimos®-t2 power-transistor	INFINEON
IPP90N06S4L-04	N-channel 60v mosfet optimos®-t2 power-transistor	Infineon Technologies
IRFB4332		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4332
IRFB4332		INFINEON