IRFB4410ZPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4410ZPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 58A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	97A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4820pF @ 50V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4410ZPBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4410ZPBF datasheet
422.4 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF8010PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF8010PBF		INTERNATIONAL RECTIFIER	267
IRF8010PBF		INFINEON
IRF8010PBF
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)	SK
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)			27.20
R2KN	Огpаничительный диод Vrm=140V (Vz=150-170V)	SANKEN
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		324	86.28
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	64	112.20
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
КУ202Н	Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ