IRFB9N65APBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB9N65APBF (VISHAY)	2	282.12

Версия для печати

Технические характеристики IRFB9N65APBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	930 mOhm @ 5.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	48nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1417pF @ 25V
Power - Max	167W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB9N65APBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFB9N65APBF datasheet
152.6 Кб