IRFD9110PBF
МОП-Транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 700mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD9110PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FNR-10K391 |
|
390В 40.0 Дж, варистор | FNR | 10 574 | 5.08 | |||
| FNR-10K391 |
|
390В 40.0 Дж, варистор | 224 | 17.60 | ||||
| FNR-10K391 |
|
390В 40.0 Дж, варистор | FENGHUA | 97 600 | 2.77 | |||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В | HITANO |
|
|
|||
| MCC-Y5V-50-1 |
|
Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В |
|
10.80 | ||||
| К10-17Б-0.015 М1500 5% |
|
Керамический конденсатор 0.015 мкФ 50 В |
|
153.16 | ||||
| К10-17Б-3300 М1500 10% |
|
Керамический конденсатор 3300 пФ 50 В |
|
36.88 | ||||
| КС515Г |
|
пластмасса | 774 | 51.00 | ||||
| КС515Г |
|
пластмасса | RUS |
|
|
|||
| КС515Г |
|
пластмасса | СЗТП | 44 | 71.40 | |||
| КС515Г |
|
пластмасса | САРАНСК | 4 528 | 12.00 | |||
| КС515Г |
|
пластмасса | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
