IRFI4227PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFI4227PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	26A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4600pF @ 25V
Power - Max	46W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI4227PBF (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFI4227PBF datasheet
290.7 Кб