Версия для печати
Технические характеристики IRFL210PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 580mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	960mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

IRFL210PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFL210PBF datasheet 804 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		8 905	33.25
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	162	91.00
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
		BS170		Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR
		ES1A			FAIR
		ES1A			FAIRCHILD
		ES1A			FAIRCHILD
		ES1A			Fairchild Semiconductor
		ES1A
		ES1A			YJ	18 683	1.74  >100 шт.   0.87
		ES1A			ONS
		ES1A			YANGJIE
		ES1A			YANGJIE (YJ)
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	33.15
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)			13.00
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	28
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	МЕКСИКА
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INFINEON
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	HOTTECH	330 111	4.92
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	KLS
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	YOUTAI	23 188	4.76
		КД257Д		3А.1000В	НПП ТЭЗ
		КД257Д		3А.1000В		679	259.00
		КД257Д		3А.1000В	СЗТП
		КД257Д		3А.1000В	ТЭЗ	80	306.00
		КД257Д		3А.1000В	ТОМИЛИНО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"