IRFP27N60KPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP27N60KPBF (VISHAY)	1	305.04
IRFP27N60KPBF	158	277.18

Версия для печати

Технические характеристики IRFP27N60KPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	27A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4660pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP27N60KPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFP27N60KPBF datasheet
615.1 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DXI40N-A 0.5W 50OHM			14 080	43.51
DXI40N-A 0.5W 50OHM		RUICHI
KAN1211-0431B (SWT-5)	Тактовая кнопка 1 группа контактов нормально разомкнутая, 12В, 50мА		48 024	2.83
KAN1211-0431B (SWT-5)	Тактовая кнопка 1 группа контактов нормально разомкнутая, 12В, 50мА	RUICHI
RF2001T2D		ROHM
RF2001T2D		Rohm Semiconductor
RF2001T2D