Версия для печати
Технические характеристики IRFPF50PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPF50PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRFPF50PBF datasheet 863.5 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	VISHAY
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...		240	166.84
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFPE50		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...	КИТАЙ
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	4 004	39.36
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 648	31.68
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 662	16.00
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ON SEMICONDUCTOR
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ONS
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC34151P		ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	SHARP
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA			558.00
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	Sharp Microelectronics
		S216S02		Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA	ЯПОНИЯ
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)		103	29.75
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРО-М	433	157.44
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	СВЕТЛАНА	4 396	24.00
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	RUS
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРОН
		КР590КН2		(HI3-1800A-5)	МИКРОМ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"