|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
|
1
|
70.40
|
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
ОРЕЛ
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
|
320
|
159.22
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
MC34151P |
|
ИМС 2хК.УПРАВЛ.МОП-Транзистор
|
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
|
|
151.20
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273N |
|
Микросхема 8х мощ. D-защелка
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ГИ-30 |
|
|
|
1
|
1 020.80
|
|