IRFR1018EPBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 56A, 110W, 0.0084R, TO252A)
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 79A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR1018EPBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
