![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.4A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.4A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR420PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | Р В РЎв„ў73-17-63-0.33 5% РљРѕРЅРТвЂВВенсаторы Р В Р’В Р РЋР’ВВеталлРСвЂВВР В Р’В·Р В РЎвЂВВрованные РїРѕР»РСвЂВВСЌС‚РСвЂВВлентерефталатные Р В Р’В Р РЋР’ВВРѕРіСѓС‚ служРСвЂВВть Р·Р°РСВВВеной Р В РЎв„ў73-5, Р В РЎв„ў73-11, Р В РЎв„ў73-15, Р В РЎв„ў73-16, Р В РЎв„ў73-2.НапряженРСвЂВВР В Р’Вµ 63ВЕМкость 0.33 Р В Р’В Р РЋР’ВВкФТочнос... 6.60 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
![]() | Р В РЎв„ў73-17-63-0.33 5% РљРѕРЅРТвЂВВенсаторы Р В Р’В Р РЋР’ВВеталлРСвЂВВР В Р’В·Р В РЎвЂВВрованные РїРѕР»РСвЂВВСЌС‚РСвЂВВлентерефталатные Р В Р’В Р РЋР’ВВРѕРіСѓС‚ служРСвЂВВть Р·Р°РСВВВеной Р В РЎв„ў73-5, Р В РЎв„ў73-11, Р В РЎв„ў73-15, Р В РЎв„ў73-16, Р В РЎв„ў73-2.НапряженРСвЂВВР В Р’Вµ 63ВЕМкость 0.33 Р В Р’В Р РЋР’ВВкФТочнос... 6.60 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
![]() | Р В РЎв„ў73-17-63-0.33 5% РљРѕРЅРТвЂВВенсаторы Р В Р’В Р РЋР’ВВеталлРСвЂВВР В Р’В·Р В РЎвЂВВрованные РїРѕР»РСвЂВВСЌС‚РСвЂВВлентерефталатные Р В Р’В Р РЋР’ВВРѕРіСѓС‚ служРСвЂВВть Р·Р°РСВВВеной Р В РЎв„ў73-5, Р В РЎв„ў73-11, Р В РЎв„ў73-15, Р В РЎв„ў73-16, Р В РЎв„ў73-2.НапряженРСвЂВВР В Р’Вµ 63ВЕМкость 0.33 Р В Р’В Р РЋР’ВВкФТочнос... 6.60 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
|
Корзина
|