IRFSL4010PbF

Версия для печати

Технические характеристики IRFSL4010PbF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 106A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	180A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	215nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9575pF @ 50V
Power - Max	375W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFSL4010PbF (MOSFET)

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFSL4010PbF datasheet
363.2 Кб