IRFU5305PBF
|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 16A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | Р В РЎСџР В РЎв„ў16-12Р В Р’В¤1005 РџСЂРµРТвЂВВВназначен Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВля установкРцРЅР° Р В Р’В Р РЋР’ВВВонтажную панель (внутрРцшкафа) 'НапряженРСвЂВВВР В Р’Вµ, Р В РІР‚в„ў постоянного тока 1-30 переРСВВВВенного тока 1-250 РўРѕРє, Р В Р’В Р РЋРІР‚в„ў постоянный... 3672.88 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | 2Р В Р’В Р В РЎС™30Р В РЎв„ўР В РЎСџР В Р’ВВВВ32Р В Р’В Р В Р С“1Р В РІР‚в„ў1 ГерРСВВВВетРСвЂВВВчные РцвысокогерРСВВВВетРСвЂВВВчные СЃРѕРµРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР Р…Р СвЂВВВтелРцвыполнены блочныРСВВВВРцРІРСвЂВВВлкаРСВВВВРцРТвЂВВВля сочлененРСвЂВВВР РЋР РЏ Р РЋР С“ кабельныРСВВВВРцнегерРСВВВВетРСвЂВВВчныРСВВВВРцрозеткаРСВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВ. РЎРѕРµРТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР Р…Р СвЂВВВтелРцсостоят Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР В Р’В· ... 2080.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
 | TSR 1-24150 Dc/dc конвертер point-of-load Р Р…Р В° ток Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР С• 1 Р°РСВВВВпераОсобенностРСвЂВВВ: Высококачественный Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВпульсный стабРСвЂВВВР»РСвЂВВВзатор ВысокРСвЂВВВР в„– РљРџР” Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР С• 96% Р В РЎСљР В Р’Вµ требуется СЂР°РТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВатор ... РљСѓРїРСвЂВВВть |
