Версия для печати
Технические характеристики IRLL3303PBF

Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	840pF @ 25V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	1 972	2.42
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	11.73
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	2 970	3.23
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		22 463	1.30  >100 шт.   0.65
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	26	9.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.18
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	8 978	2.44
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		23 200	1.72  >100 шт.   0.86
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAI/QTC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FSC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	MCC
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	FAIRCHILD
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	NXP	1 066
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	PHILIPS	15 999
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	Fairchild Semiconductor
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	ГОНКОНГ
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz			7.88
		BC640		Транзистор биполярный малой мощности PNP 100V, 1A, 0.8W, 50MHz	1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	389	11.98
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	UTC
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		5	146.40
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMEN
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"