KBU8M


Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR

Купить KBU8M по цене 44.13 руб.  (без НДС 20%)
KBU8M Диодный мост 8А 1000В в пластиковом корпусе с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
KBU8M (DC COMPONENTS) 1 756 44.13 
KBU8M (YJ) 2 229 39.17 
KBU8M (HOTTECH) 824 39.07 
KBU8M (YANGJIE) 960 32.14 
KBU8M (RUME) 6 400 25.70 

Диодный мост 8А 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для установки на печатную плату.Мост KBU8M применяется для выпрямления токов промышленной частоты 50/60Гц.
При работе диодный мост KBU8M должен быть установлен на теплоотвод (радиатор) для обеспечения необходимого теплового режима.
 Характеристики диодного моста KBU8M:
Iпрям.пост.(max) 8A ( tкорп.<50..75°C)*
Uобр.пост.(max)1000V
Uобр.пиков.повтор.(max)  1000V
Uвх.перем.(max)  700V (действующее)
Uпрям.пад.< 1,0-1,1V* (на одном диоде)
Диапазон рабочих температур -55..+150°С
Тип корпуса KBU (RS-6)
Версия для печати

Технические характеристики KBU8M

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)1000V
Current - DC Forward (If)8A
Diode TypeSingle Phase
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)KBU
КорпусKBU
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

KBU8A

Single-phase Bridge Rectifier

Также в этом файле: KBU8M

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

KBU8M datasheet
0b

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W   FUJITSU Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W   FUJI ELECTRIC 4 351.90 
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W     Заказ радиодеталей 228.48 
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W   FUJI Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W   FUJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2SK956 Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W   МАЛАЙЗИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA     Заказ радиодеталей 58.88 
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA   NXP SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BT151-500R Тиристор 5.7A, 500V, Igt=15mA   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)     Заказ радиодеталей 7.16 
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   SGS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C13 Стабилитрон универсальный (Vz=12.414.1V (13V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)   TSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)     14 254 2.68 
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   FAGOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   FAGOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BZX85C15 Стабилитрон универсальный (Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=15 mA, tol=6%)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс     10 879 10.50 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   БРЕСТ 1 434 4.00 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   П/П 1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ЦВЕТОТРОН 10 628 12.74 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   СЗТП Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   П/П 2 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   РОССИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   ОРБИТА 4 320 25.58 
КД510А Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО 266 20.40 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход