LD1117S25TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Топология регулятора | Positive Fixed |
| Напряжение выходное | 2.5V |
| Напряжение входное | Up to 15V |
| Напряжение - падение (Typ.) | 1.1V @ 800mA |
| Число регуляторов | 1 |
| Ток выходной | 950mA |
| Рабочая температура | 0°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD623ARZ-R7 | ANALOG DEVICES | 5 589 | 350.51 | |||||
| AD623ARZ-R7 | ANALOG DEVICES | 7 |
|
|||||
| AD623ARZ-R7 | Analog Devices Inc |
|
|
|||||
| AD623ARZ-R7 | 2 709 | 268.63 | ||||||
| GD32F103RBT6 | GIGADEVICE | 1 650 | 145.71 | |||||
| GD32F103RBT6 | 1 280 | 135.92 | ||||||
| GD32F103RBT6 | GIGADEV | 1 052 | 126.66 | |||||
| GD32F103RBT6 | GD | 1 | 238.37 | |||||
 |
 |
L3G4200DTR |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
L3G4200DTR |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
L3G4200DTR |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
L3G4200DTR |
|
|
|
|||
| LIS331DLTR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LIS331DLTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LIS331DLTR |
|
|
||||||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONS | 62 | 117.90 | |||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). |
|
|
||||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| NCP1402SN50T1G |
|
Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V). | ON SEMICONDUCTO |
|
|
