Версия для печати
Технические характеристики LM2904NG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	2
Скорость нарастания выходного напряжения	0.6 V/µs
Полоса пропускания	1MHz
Ток - входного смещения	45nA
Напряжение входного смещения	2000µV
Ток выходной	1.5mA
Ток выходной / канал	40mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	10 026	4.27
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	692	2.01
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	33 088	3.94
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	1 040	3.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		2 363	7.04
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	8 035	3.70
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	17 600	2.84
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	1 229	2.70
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	97 108	2.56
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	701	2.74
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		19 291	1.13
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	572 651	1.39
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	567 585	1.27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.34
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	4 960	5.90
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	48 981	1.70  >100 шт.   0.85
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	154	1.43
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	193 686	1.75
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	63 346	1.67
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 776	1.96  >100 шт.   0.98
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	2 000	1.60
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	MUR	215 813	2.39
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	MURATA
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В		40
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	MURATA	6 260
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM21BR71H105KA12L		Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В		40
		GRM31MR71H105K		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ X7R 10% 50В 1206	MURATA
		GRM31MR71H105K		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ X7R 10% 50В 1206		48	7.92
		GRM31MR71H105K		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ X7R 10% 50В 1206	ЯПОНИЯ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	1 756	50.88
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	12 181	40.87
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	824	33.73
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	640	33.07
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 400	26.46

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"