Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | SWITCHMODE™ |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 45V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 7.5A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 957
|
2.23
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.51
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
745 008
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
718 305
|
1.29
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 644
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1 058.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
77 316
|
1.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
2 569
|
2.42
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
6.81
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
41 029
|
2.66
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
603 128
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
810 588
|
1.28
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
325
|
1.95
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
849 520
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
21 946
|
3.46
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
1 600
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
2 394
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
79 234
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
США
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
8 886
|
5.75
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
720 035
|
1.34
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
---
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
1 056
|
11.76
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
103 099
|
1.60
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
8 000
|
1 621.62
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
38 369
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
ES1J |
|
Супербыстрый выпрямительный диод smd (Vr=600V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
JUXING
|
18 245
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
60
|
94.50
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
|
|
|
|
|
|
MBR20200CTG |
|
Диод Шоттки 200V 20A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
13.65
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH112A |
|
|
|
6 492
|
8.82
|
|