NCS1002DR2G
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NCS1002DR2G (ONS) |
2 203 |
50.38
|
|
|
NCS1002DR2G (ON SEMICONDUCTOR.) |
281 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
NCS1002DR2G (4-7 НЕДЕЛЬ) |
572 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NCS1002DR2G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Напряжение входное | 3 V ~ 32 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | MAX393EPE
4 ключа CMOS, Ind
Купить |
 | LH79524
32-разрядная система на кристалле с ядром arm720t™
Купить |
 | HLMA-PL00-PRR00
Субминиатюрный, высокоэффективный alingap светодиод
Купить |
