NTZD3155CT1G
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NTZD3155CT1G (ON SEMICONDUCTOR.) |
182 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NTZD3155CT1G
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 540mA, 430mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SOT-563 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
