Версия для печати
Технические характеристики PVT412

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PVT, HEXFET®
Каналы	SPST-NO (1 Form A)
Тип выхода	AC, DC
Сопротивление (On-State)	6 Ohm
Load Current	240mA
Напряжение входное	1.2VDC
Напряжение нагрузки	0 ~ 400 V
Тип монтажа	Выводной
Termination Style	PC Pin
Корпус (размер)	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	6-DIP

PVT412A (Дискретные сигналы) HEXFET Power MOSFET Photovoltaic Relay and#174; Single Pole, Normally Open, 0-400V, 240mA AC / 360mA DC Также в этом файле: PVT412AS, PVT412AS-T Производитель: International Rectifier //www.irf.com PVT412 datasheet 94.64Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Реле

 » 

Твердотельные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BH-10 (IDC-10MS)		Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,		102 928	4.18
		BH-10 (IDC-10MS)		Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,	BM
		BH-10 (IDC-10MS)		Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,	RUICHI
		BH-10 (IDC-10MS)		Вилка на плату 2 ряда по 5 контактов с покрытием золото,	NXU	33 600	8.86
		KSD203AC2		Реле твердотельное, Uвх= 4:32ВDC, вых :50:280ВAC/3A, Uизол=4000В, 4-pin SIP, -30:+100°C	COSMO	920	613.16
		KSD203AC2		Реле твердотельное, Uвх= 4:32ВDC, вых :50:280ВAC/3A, Uизол=4000В, 4-pin SIP, -30:+100°C			836.00
		KSD203AC2		Реле твердотельное, Uвх= 4:32ВDC, вых :50:280ВAC/3A, Uизол=4000В, 4-pin SIP, -30:+100°C	КИТАЙ
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А			147.20
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А	MURATA
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А	MUR
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А	Murata Electronics North America
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А	TOKYO PARTS
		PLA10AN1522R0R2B		Сетевой фильтр, Ind.2А	TP-MUR	1 384	59.12
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	DC COMPONENTS
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MCC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)		1 502	12.00
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	КИТАЙ
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MIC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	KINGTRONICS
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	PANJIT
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY ME
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TSC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	HOTTECH	785	13.51
		КР1533ИР8			ЗПП
		КР1533ИР8					46.44
		КР1533ИР8			ЗПП МИНСК
		КР1533ИР8			МИНСК
		КР1533ИР8			ИНТЕГРАЛ
		КР1533ИР8			RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"