Si4830CDY-T1-GE3


Купить Si4830CDY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
Si4830CDY-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики Si4830CDY-T1-GE3

Input Capacitance (Ciss) @ Vds950pF @ 15V
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 8A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияLITTLE FOOT®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Power - Max2.9W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход