SI7997DP-T1-GE3
|
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
|
Версия для печати
Технические характеристики SI7997DP-T1-GE3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6200pF @ 15V |
| Power - Max | 46W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 Dual |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
