|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL
|
343
|
756.00
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
|
61
|
793.80
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
3 131
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
MICRO CHIP
|
12 612
|
382.28
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEGA
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
671
|
|
|
|
|
SS025M0047B2F-0507 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SS025M0047B2F-0507 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SS025M0047B2F-0507 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SY025M0470B5S-1015 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
INVAC ASSOCIATED COMPANIES
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
|
10.40
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
8 061
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
INVAC ASSOCIATED COMPANIES
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
571
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4005 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1.0A, If=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
3 888
|
2.52
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
338
|
33.12
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
28.35
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 271
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
42.36
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|