|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
|
57 445
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
DC COMPONENTS
|
85 740
|
2.43
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
HOTTECH
|
16 755
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C10 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 10В, 40мА
|
CTK
|
21 665
|
1.13
|
|
|
|
JRB1V221M03500800120000B |
|
|
JB
|
104 881
|
5.08
|
|
|
|
JRB1V221M03500800120000B |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.88
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
2 320
|
7.87
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SH400M0047B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SH400M0047B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SH400M0047B7F-1625 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ, 400 В, 20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
4 838
|
35.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
9 680
|
42.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
720
|
80.69
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|