|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
|
|
424.00
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
9
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
JSMICRO
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
64 005
|
108.24
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
82
|
223.60
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
132.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
2 300
|
122.98
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
117.30
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
632
|
37.95
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
12 299
|
25.58
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
1
|
58.08
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
258
|
52.54
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
29 891
|
29.18
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
27.59
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
|
|
97.56
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
PMC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|