Производитель | Yageo Corporation |
Допуск емкости | ±20% |
Номинальное напряжение | 35 В |
Ток утечки | 350 мкА |
Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.12 |
Эквивалентное последовательное сопротивление | 27 мОм |
Максимальный ток пульсаций | 2.23 А |
Шаг выводов | 5 мм |
Срок службы | 6000 Ч |
Размер корпуса | ф 13x25 |
Рабочая температура | -40...105 °C |
Very low impedance and ESR, miniature aluminu | |
Емкость | 1000 мкФ |
Серия | SY |
Корпус (размер) | Radial |
Тип монтажа | Выводной |
Тип | Электролитический алюминиевый |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LTV817C | LINEAR TECHNOLOGY | |||||||
LTV817C | LITE-ON | 1 816 | 8.00 | |||||
LTV817C | LIT | |||||||
LTV817C | 38 | 8.00 | ||||||
LTV817C | КИТАЙ | |||||||
LTV817C | LITE ON OPTOELECTRONICS | |||||||
LTV817C | 1 | |||||||
MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MBRA340T3G | 28.00 | |||||||
MBRA340T3G | ONS | |||||||
MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTO | |||||||
MBRA340T3G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
MBRA340T3G | KLS | |||||||
MBRA340T3G | TOKMAS | 9 600 | 5.82 | |||||
MBRA340T3G | FUXIN | |||||||
MF-0.25-30K 5% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA | ||||||
MF-0.25-30K 5% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | 8 | 2.84 | |||||
SL1016-330K 33/4.4A | COME | |||||||
SL1016-330K 33/4.4A | YAGEO | |||||||
SL1016-330K 33/4.4A | 84.96 | |||||||
SL1016-330K 33/4.4A | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | |||||||
SL1016-330K 33/4.4A | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
К75-24-400-2.2 10% | Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2.2 мкФ 400 В | 582.04 | ||||||
К75-24-400-2.2 10% | Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 2.2 мкФ 400 В | ПОЛИКОНД |
|