T491B226K020AT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
T491B226K020AT (Kemet)	1 900	10.33

CAP TANT 22UF 20V 10% SMD

Версия для печати

Технические характеристики T491B226K020AT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	T491
Емкость	22µF
Номинальное напряжение	20V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	4.000 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.10mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

T491B226K020AT datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB649A	Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц	HIT
2SB649A	Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц		598	8.71
2SB649A	Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц	HITACHI
2SB649A	Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц	ISCSEMI
2SB649A	Высокочастотный биполярный PNP транзистор 20Вт, 160В, 1.5А, 140МГц	ISC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 833	2.10
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	525	1.60
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	29 476	1.90
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.31
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	24	11.37
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		34 642	1.38 >100 шт. 0.69
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 446	1.60
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	79 252	1.52
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1 270.08
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	383 872	2.07
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	93 964	1.36
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	50 893	1.32
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		76 516	1.12
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	10.74
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	2 569	2.42
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	6.82
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	41 029	2.69
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	602 792	1.74 >100 шт. 0.87
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	810 764	1.28
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	325	1.95
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	954 255	1.92 >100 шт. 0.96
BC817-40	Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	64	16.80
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
GRM216R71H102KA01D	Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В	MURATA	10 553	1.96
GRM216R71H102KA01D	Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В	MURATA
GRM216R71H102KA01D	Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM216R71H102KA01D	Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В	MUR	39 036	1.38 >100 шт. 0.69
GRM216R71H102KA01D	Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В

T491B226K020AT

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Конденсаторы

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают: