TC426EOA
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 4.5 V ~ 18 V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 2 |
| Ток пиковое значение | 1.5A |
| Время задержки | 50ns |
| Тип входа | Inverting |
| Конфигурация | Low-Side |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TC426 (MOSFET драйверы) 1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers Также в этом файле: TC426EOA
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 102.00 | |
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | 1 351 | 84.48 | ||
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | VBSEMI |
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ... | EVVO | 844 | 49.73 |
