TIP29A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 125mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 4V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
| Frequency - Transition | 3MHz |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TIP29A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 345 | 31.50 | ||
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 35.70 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | БРЯНСК | 3 115 | 36.00 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 6 | 40.34 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
