TLV2372IDR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 2 |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 2.1 V/µs |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Ток - входного смещения | 1pA |
| Напряжение входного смещения | 2000µV |
| Ток выходной | 750µA |
| Ток выходной / канал | 16mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 16 V, ±1.35 V ~ 8 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
| Output Type | Rail-to-Rail |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW080510R0FKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW080510R0FKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW080510R0FKEA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW080510R0FKEA | 768 |
|
||||||
| HEF4016BT | PHILIPS |
|
|
|||||
| HEF4016BT | NXP |
|
|
|||||
| HEF4016BT |
|
|
||||||
| HEF4016BT | NXP |
|
|
|||||
| HEF4016BT | PHILIPS |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS | 568 | 27.55 | |||||
| LD1117S50CTR |
|
70.00 | ||||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 81 |
|
|||||
| LD1117S50CTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | TEXAS INSTRUMENTS | 8 | 14.34 | |||||
| LM386L |
|
|
||||||
| LM386L |
|
|
||||||
 |
 |
MCP6022-E/SN |
|
Microchip Technology |
|
|
||
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
|
MCP6022-E/SN |
|
|
|
