Версия для печати
Технические характеристики TMV 0515D

POUT,Вт	1
VIN,В	от 4.5 до 5.5
VISO,В	3000
КПД,%	79
Выход: UВЫХ1,В	15
Выход: IВЫХ1,мА	30
Выход: UВЫХ2,В	-15
Выход: IВЫХ2,мА	-30
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	19.5
Размеры: Ш,мм	6.1
Размеры: В,мм	10.2
Корпус	SIP-7

TMV 0515D (DC-DC модули) DC/DC конвертер серии TMV мощностью 1 Ватт, нерегулируемый выход, высокое напряжение изоляции Производитель: Traco Electronic TMV 0515D datasheet 152 Кб

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAI/QTC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FSC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%		3	47.88
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Lite-On Inc
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	США
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONSEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS	2 273	33.40
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS-FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ON SEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	LIT	1 708	22.87
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		1 100	26.13
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
		IRF830		N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	45.52
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...		341	10.86
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСК	62	4.20
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	СЗТП	800	11.34
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 959	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	4 392	12.66
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	19 905	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 152	9.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"