TMV 1212D

DC/DC, 1Вт, вход 10.8-13.2V, выход +12V/40mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 19.56х6.1х10.2мм., - 40°C :+85°C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TMV 1212D (TRACO)	143	1 081.61

Dc/dc конвертер серии tmv мощностью 1 ватт, нерегулируемый выход, высокое напряжение изоляции
Особенности:

Компактный корпус SIP-7
Одно- и двух-выходные модели
Напряжение изоляции вход/выход 3000 Вольт
Высокий КПД до 81%
Промышленный диапазон температур -40...+85°C
Полная совместимость по выводам с модулями других производителей
Гарантия 3 года

Версия для печати

Технические характеристики TMV 1212D

POUT,Вт	1
VIN,В	от 10.8 до 13.2
VISO,В	3000
КПД,%	81
Выход: UВЫХ1,В	12
Выход: IВЫХ1,мА	40
Выход: UВЫХ2,В	-12
Выход: IВЫХ2,мА	-40
TA,°C	от -40 до 85
Размеры: Д,мм	19.5
Размеры: Ш,мм	6.1
Размеры: В,мм	10.2
Корпус	SIP-7

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TMV 1212D (DC-DC модули)

DC/DC конвертер серии TMV мощностью 1 Ватт, нерегулируемый выход, высокое напряжение изоляции

Производитель:
Traco Electronic

TMV 1212D datasheet
152 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		1 420	28.93
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	51.30
TMV 0515D	DC/DC, 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход +15V/30mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ...	TRACO
TMV 0515D	DC/DC, 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход +15V/30mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ...
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 796	12.25
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	2 958	9.35
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	3 535	12.00
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
КТ3102БМ	Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 340	8.48
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		400	10.50
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	808	12.24
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 886	12.00
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.22