Power - Max | 110W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-8.2 5% | ЧИП — резистор | 321 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
|||||
1206-9.1K 5% | ЧИП — резистор | 176 |
0.96 >500 шт. 0.32 |
|||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | FAIR | ||||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | ||||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | 192.00 | ||||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | 1 336 | |||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor | ||||||
FDD6530A | 20v n-channel powertrench mosfet | ONS | ||||||
L-3VEGW | KINGBRIGHT | |||||||
L-3VEGW | KGB | 8 226 | 25.38 | |||||
L-3VEGW | 21.24 | |||||||
L-3VEGW | KB | |||||||
L-3VEGW | КИТАЙ | |||||||
SDR0604-221KL (220 МКГН) | BOURNS |
|