R1001N12B1-B50K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
305-031-12(TB-02B)		XINYA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	2 480	167.28
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	CHINA
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``			307.40
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	Bourns Inc
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS	148
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	BOURNS SENSORS
3296W-1-104LF	Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 100 кОм 3/8``	OLITECH
DG129-5.0-02P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS	81 754	23.82
DG129-5.0-02P-14-00AH
R1001N12B1-A50K, 50 КОМ		SONG HUEI
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP		710	28.70
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	2 630	40.27
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	6 131	32.00
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
КТ816Г	Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ