TDC7200PW

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ER14505S		EEMB
ER14505S
ER14505S		FANSO
F951C476MBAAQ2		Nichicon
F951C476MBAAQ2		AVX
F951C476MBAAQ2
F951C476MBAAQ2		KYOCERA-AVX
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)		77	139.04
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	Vishay/Siliconix
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY/IR
IRF510PBF	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
TDC1000PWR		TEXAS INSTRUMENTS
TDC1000PWR		TEXAS
TDC1000PWR
TDC1000PWR
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	35.20
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 886	34.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С